QG刮刮乐

QG刮刮乐料股份有限公司(以下简称“QG刮刮乐”),原名有研QG刮刮乐材料股份有限公司,是由北京有色金属研究总院独家发起,以募集方式设立的股份有限公司,于1999年3月成立并在上海证券交易所挂牌上市。QG刮刮乐注册资本84655.3332万元,注册地址北京市海淀区北三环中路43号。

下跌中继错锗单晶硅

低位错锗单晶
低位错的锗单晶因其晶格完整的特性,主要用于Ⅲ -V族电池的衬底材料,并最终广泛应用于空间太阳能发电板。有研国晶辉采用直拉法生长的低位错锗单晶,具有大直径、零或低位错密度、高机械强度的特点。目前可提供的最大直径为4英寸。
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